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    熱處理V膜制備VO2薄膜的結構和光電性能
    作者:袁文輝1 劉保順2 
    單位:(1. 武漢高芯科技有限公司 武漢 430205 2. 硅酸鹽建筑材料國家重點實驗室 武漢理工大學 武漢 430070 
    關鍵詞:二氧化釩薄膜 磁控濺射 真空退火 半導體–金屬相變 
    分類號:O484.4
    出版年,卷(期):頁碼:2021,49(6):1151-1156
    DOI:
    摘要:

     先用磁控濺射法在石英玻璃基片上制備了金屬V膜,然后經過真空退火處理被轉變為VO2薄膜。研究了退火溫度對VO2薄膜表面形貌、晶體結構、光學性能和電學性能的影響。結果表明:隨著退火溫度由300 增加到450 VO2薄膜的結晶度明顯增加。退火溫度在400 450 制備的樣品是高純M相單斜結構,晶粒發育較好,晶界清晰。不同溫度退火的樣品的表面V元素包含由4+5+態,5+態的出現是由于表面V元素受環境中氧化導致。雖然退火溫度的改變對VO2薄膜的可見光透過率無明顯影響,但是可以改善對太陽光的調節效率。VO2薄膜半導體-金屬相變溫度和半導體相的電阻隨熱處理溫度增加而增加,在400 450 退火樣品電阻相變前后的變化幅度可達2個數量級,450 退火制備樣品的滯后寬度和半導體金屬相變臨界溫度分別為14.6 61.0 

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